Reliability of charge trapping memories with high-k control dielectrics - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2009

Reliability of charge trapping memories with high-k control dielectrics

G. Molas
  • Fonction : Auteur
Marc Bocquet
CV
E. Vianello
  • Fonction : Auteur
L. Perniola
  • Fonction : Auteur
H. Grampeix
  • Fonction : Auteur
Colonna J.P.
  • Fonction : Auteur
L. Masarotto
  • Fonction : Auteur
F. Martin
  • Fonction : Auteur
P. Brianceau
  • Fonction : Auteur
M. Gély
  • Fonction : Auteur
C. Bongiorno
  • Fonction : Auteur
S. Lombardo
  • Fonction : Auteur
G. Pananakakis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
G. Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
CV
De Salvo B.
  • Fonction : Auteur

Domaines

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https://hal.science/hal-00596125

Soumis le : jeudi 26 mai 2011-15:37:46

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:26:01

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00596125 , version 1 (26-05-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00596125 , version 1

Citer

G. Molas, Marc Bocquet, E. Vianello, L. Perniola, H. Grampeix, et al.. Reliability of charge trapping memories with high-k control dielectrics. Microelectronic Engineering, 2009, 86, pp.1796-1803. ⟨hal-00596125⟩

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