Caractérisation d'un dépôt multicouches diélectriques par pulvérisation cathodique - application à la réalisation de lasers monomodes à nanostructures quantiques
Résumé
Le développement de structures semi-conductrices innovantes à nanostructures quantiques est un axe de recherche important pour les télécommunications optiques à haut-débit. L'objectif du présent article est de montrer que l'utilisation d'une technologie monomode couplée à l'apposition d'un traitement Haute Réflectivité (HR) sur les facettes d'un laser à bâtonnets quantiques InAs/InGaAsP conduit à l'obtention de propriétés électro-optiques encourageantes pour le laboratoire. Ainsi, des caractérisations menées conjointement sur des couches planaires et sur des cavités lasers ont permis de mesurer une réflectivité proche de 95% s'accompagnant d'un abaissement significatif des seuils des structures monomodales.