Lasers devices based on nanostructures grown on InP substrate for 1.55 μm emission - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Lasers devices based on nanostructures grown on InP substrate for 1.55 μm emission

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00589343 , version 1 (28-04-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00589343 , version 1

Citer

Christophe Levallois, Jean-Philippe Gauthier, Cyril Paranthoen, Rozenn Piron, Frederic Grillot, et al.. Lasers devices based on nanostructures grown on InP substrate for 1.55 μm emission. Workshop Frontier 2010, Dec 2010, Albi, France. ⟨hal-00589343⟩
199 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More