Dégradation du bruit en courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Dégradation du bruit en courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00585621 , version 1 (13-04-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00585621 , version 1

Citer

Charlotte Sury, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Christian Dua, et al.. Dégradation du bruit en courant de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur substrat SiC. Journées Nationales Microondes, May 2011, Brest, France. pp.1. ⟨hal-00585621⟩
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