Degradations during pulsed measurements in temperature of AlGaN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Degradations during pulsed measurements in temperature of AlGaN/GaN HEMTs

Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
N. Defrance
Nathalie Malbert
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Nathalie Labat
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 845366
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Arnaud Curutchet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 853090
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Charlotte Sury
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
C. Dua
  • Fonction : Auteur
M. Oualli
  • Fonction : Auteur
M. Piazza
  • Fonction : Auteur
J.M. Bluet
W. Chikhaoui
  • Fonction : Auteur
C. Bru-Chevallier
CV

Domaines

Electronique

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https://hal.science/hal-00585101

Soumis le : lundi 11 avril 2011-17:00:18

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00585101 , version 1 (11-04-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00585101 , version 1

Citer

Y. Douvry, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Defrance, Nathalie Malbert, et al.. Degradations during pulsed measurements in temperature of AlGaN/GaN HEMTs. European Solid-State Device Research Conference 2010, Sep 2010, Séville, Spain. pp.1. ⟨hal-00585101⟩

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