Article Dans Une Revue
Journal of Applied Physics
Année : 2010
Sandrine Coudert : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00584063
Soumis le : jeudi 7 avril 2011-14:25:27
Dernière modification le : vendredi 11 août 2023-15:14:04
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00584063 , version 1
- ARXIV : 1010.1610
- DOI : 10.1063/1.3514009
Citer
David Mouneyrac, J.G. Harnett, Jean-Michel Le Floch, M.E. Tobar, Dominique Cros, et al.. Detrapping and retrapping of free carriers in nominally pure single crystal GaP, GaAs and 4H-SiC semiconductors under light illumination at cryogenic temperatures. Journal of Applied Physics, 2010, 108 (10), pp.104107. ⟨10.1063/1.3514009⟩. ⟨hal-00584063⟩
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