Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00575423
Soumis le : jeudi 10 mars 2011-11:28:48
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00575423 , version 1
Citer
Christophe Gaquière, D. Ducatteau, D. Theron, F Medjdoub, M.A. Poisson. Time domain analyses of trapping effects of AlInN/GaN HEMT devices. International Microwave Symposium, IMS 2009, Workshop WWC : Advanced Measurement Techniques, Adapted for Different Memory Effects, 2009, Boston, MA, United States. ⟨hal-00575423⟩
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