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Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Time domain analyses of trapping effects of AlInN/GaN HEMT devices

D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
D. Theron
F Medjdoub
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00575423 , version 1 (10-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00575423 , version 1

Citer

Christophe Gaquière, D. Ducatteau, D. Theron, F Medjdoub, M.A. Poisson. Time domain analyses of trapping effects of AlInN/GaN HEMT devices. International Microwave Symposium, IMS 2009, Workshop WWC : Advanced Measurement Techniques, Adapted for Different Memory Effects, 2009, Boston, MA, United States. ⟨hal-00575423⟩
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