Communication Dans Un Congrès
Année : 2009
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https://hal.science/hal-00575299
Soumis le : jeudi 10 mars 2011-09:31:26
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00575299 , version 1
Citer
A. Stolz, E. Cho, El Hadj Dogheche, D. Pavlidis, Didier Decoster. Optical properties of GaN epitaxial layers deposited on a low temperature buffer layer of AlN for waveguide applications. 5th International Conference for Materials Advanced Technologies, ICMAT 2009, Symposium O: Compound Semiconductor Photonics: Materials, Devices and Integration, 2009, _, Singapore. ⟨hal-00575299⟩
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