Optical properties of GaN epitaxial layers deposited on a low temperature buffer layer of AlN for waveguide applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Optical properties of GaN epitaxial layers deposited on a low temperature buffer layer of AlN for waveguide applications

A. Stolz
E. Cho
  • Fonction : Auteur
El Hadj Dogheche
D. Pavlidis
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00575299 , version 1 (10-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00575299 , version 1

Citer

A. Stolz, E. Cho, El Hadj Dogheche, D. Pavlidis, Didier Decoster. Optical properties of GaN epitaxial layers deposited on a low temperature buffer layer of AlN for waveguide applications. 5th International Conference for Materials Advanced Technologies, ICMAT 2009, Symposium O: Compound Semiconductor Photonics: Materials, Devices and Integration, 2009, _, Singapore. ⟨hal-00575299⟩
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