Article Dans Une Revue
Central European Journal of Physics
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00574499
Soumis le : mardi 8 mars 2011-11:11:10
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
A. Laszcz, J. Ratajczak, A. Czerwinski, J. Katcki, N. Breil, et al.. TEM studies of PtSi low Schottky-barrier contacts for source/drain in MOS transistors. Central European Journal of Physics, 2011, 9, pp.423-427. ⟨10.2478/s11534-010-0135-4⟩. ⟨hal-00574499⟩
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