TEM studies of PtSi low Schottky-barrier contacts for source/drain in MOS transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Central European Journal of Physics Année : 2011

TEM studies of PtSi low Schottky-barrier contacts for source/drain in MOS transistors

A. Laszcz
  • Fonction : Auteur
J. Ratajczak
  • Fonction : Auteur
A. Czerwinski
  • Fonction : Auteur
J. Katcki
  • Fonction : Auteur
N. Breil
  • Fonction : Auteur
G. Larrieu
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00574499 , version 1 (08-03-2011)

Identifiants

Citer

A. Laszcz, J. Ratajczak, A. Czerwinski, J. Katcki, N. Breil, et al.. TEM studies of PtSi low Schottky-barrier contacts for source/drain in MOS transistors. Central European Journal of Physics, 2011, 9, pp.423-427. ⟨10.2478/s11534-010-0135-4⟩. ⟨hal-00574499⟩
96 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More