Morphology of <111>-oriented Si nanowire and its physical origin - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Morphology of <111>-oriented Si nanowire and its physical origin

T. Xu
  • Fonction : Auteur
J.P. Nys
  • Fonction : Auteur
Maxime Berthe
B. Grandidier
CV
D. Stievenard
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00574398

Soumis le : mardi 8 mars 2011-08:31:03

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00574398 , version 1 (08-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00574398 , version 1

Citer

T. Xu, J.P. Nys, Maxime Berthe, B. Grandidier, D. Stievenard. Morphology of <111>-oriented Si nanowire and its physical origin. American Physical Society March Meeting, APS 2010 March Meeting, 2010, _, France. ⟨hal-00574398⟩

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