Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00573660
Soumis le : vendredi 4 mars 2011-11:46:39
Dernière modification le : samedi 4 mai 2024-03:23:33
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00573660 , version 1
Citer
E. Moreau, S. Godey, F.J. Ferrer, D. Vignaud, X. Wallart, et al.. Graphene growth by molecular beam epitaxy on the carbon face of SiC. 2nd International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene, STEG2, 2010, Amelia Island, FL, United States. ⟨hal-00573660⟩
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