Characterization of low temperature grown GaAs1-xSbx with x ~ 0.15 - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Characterization of low temperature grown GaAs1-xSbx with x ~ 0.15

X. Wallart
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Christophe Coinon
S.R. Plissard
S. Godey
O. Offranc
  • Fonction : Auteur
V. Magnin
Jean-Francois Lampin

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https://hal.science/hal-00573656

Soumis le : vendredi 4 mars 2011-11:43:03

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00573656 , version 1 (04-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00573656 , version 1

Citer

X. Wallart, Christophe Coinon, S.R. Plissard, S. Godey, O. Offranc, et al.. Characterization of low temperature grown GaAs1-xSbx with x ~ 0.15. 16th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE 2010, 2010, Berlin, Germany. ⟨hal-00573656⟩

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