Communication Dans Un Congrès
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00573557
Soumis le : vendredi 4 mars 2011-11:07:10
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00573557 , version 1
Citer
J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, O. Lancry, Christophe Gaquière, et al.. Thermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN on single crystalline diamond. 6th International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2010, 2010, Tampa, FL, United States. ⟨hal-00573557⟩
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