Thermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN on single crystalline diamond - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Thermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN on single crystalline diamond

J. Kuzmik
  • Fonction : Auteur
S. Bychikhin
  • Fonction : Auteur
E. Pichonat
O. Lancry
  • Fonction : Auteur
G. Tsiakatouras
  • Fonction : Auteur
G. Deligeorgis
  • Fonction : Auteur
A. Georgakilas
  • Fonction : Auteur
R. Balmer
  • Fonction : Auteur
D. Pogany
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00573557 , version 1 (04-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00573557 , version 1

Citer

J. Kuzmik, S. Bychikhin, E. Pichonat, O. Lancry, Christophe Gaquière, et al.. Thermal characterization of MBE-grown GaN/AlGaN/GaN on single crystalline diamond. 6th International Workshop on Nitride Semiconductors, IWN2010, 2010, Tampa, FL, United States. ⟨hal-00573557⟩
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