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Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Caractérisation électrique et hyperfréquence d'épitaxie AlGaN/GaN sur substrat résistif Si(111)

F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
N. Defrance
Virginie Hoel
Y. Cordier
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00573207 , version 1 (04-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00573207 , version 1

Citer

F. Lecourt, Y. Douvry, N. Defrance, Virginie Hoel, Y. Cordier, et al.. Caractérisation électrique et hyperfréquence d'épitaxie AlGaN/GaN sur substrat résistif Si(111). 13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 2, 1-4. ⟨hal-00573207⟩
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