Article Dans Une Revue
Journal of Optoelectronics and Advanced Materials
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00573158
Soumis le : jeudi 3 mars 2011-10:10:27
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00573158 , version 1
Citer
H. Mosbahi, M. Gassoumi, M. Charfeddine, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, et al.. Electron traps studied in AlGaN/GaN HEMT on Si substrate using capacitance deep level transient spectroscopy. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2010, 12, pp.2190-2193. ⟨hal-00573158⟩
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