Electron traps studied in AlGaN/GaN HEMT on Si substrate using capacitance deep level transient spectroscopy - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Année : 2010

Electron traps studied in AlGaN/GaN HEMT on Si substrate using capacitance deep level transient spectroscopy

H. Mosbahi
  • Fonction : Auteur
M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
M. Charfeddine
  • Fonction : Auteur
M.A. Zaidi
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00573158 , version 1 (03-03-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00573158 , version 1

Citer

H. Mosbahi, M. Gassoumi, M. Charfeddine, M.A. Zaidi, Christophe Gaquière, et al.. Electron traps studied in AlGaN/GaN HEMT on Si substrate using capacitance deep level transient spectroscopy. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2010, 12, pp.2190-2193. ⟨hal-00573158⟩
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