RF performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2011

RF performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate

F. Lecourt
  • Fonction : Auteur
N. Ketteniss
  • Fonction : Auteur
H. Behmenburg
  • Fonction : Auteur
N. Defrance
Virginie Hoel
M. Eickelkamp
  • Fonction : Auteur
A. Vescan
  • Fonction : Auteur
C. Giesen
  • Fonction : Auteur
M. Heuken
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00573157 , version 1 (03-03-2011)

Identifiants

Citer

F. Lecourt, N. Ketteniss, H. Behmenburg, N. Defrance, Virginie Hoel, et al.. RF performance of InAlN/AlN/GaN HEMTs on sapphire substrate. Electronics Letters, 2011, 47, pp.212-214. ⟨10.1049/el.2010.7512⟩. ⟨hal-00573157⟩
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