Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2011
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00572672
Soumis le : mercredi 2 mars 2011-09:26:47
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00572672 , version 1
- DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2010.09.025
Citer
K. Cheng, S. Degroote, M. Leys, F Medjdoub, J. Derluyn, et al.. AlN/GaN heterostructures grown by metal organic vapour phase epitaxy with in situ Si3N4 passivation. Journal of Crystal Growth, 2011, 315, pp.204-207. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.09.025⟩. ⟨hal-00572672⟩
Collections
65
Consultations
0
Téléchargements