AlN/GaN heterostructures grown by metal organic vapour phase epitaxy with in situ Si3N4 passivation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2011

AlN/GaN heterostructures grown by metal organic vapour phase epitaxy with in situ Si3N4 passivation

K. Cheng
  • Fonction : Auteur
S. Degroote
  • Fonction : Auteur
M. Leys
  • Fonction : Auteur
J. Derluyn
  • Fonction : Auteur
B. Sijmus
  • Fonction : Auteur
Marie Germain
G. Borghs
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00572672 , version 1 (02-03-2011)

Identifiants

Citer

K. Cheng, S. Degroote, M. Leys, F Medjdoub, J. Derluyn, et al.. AlN/GaN heterostructures grown by metal organic vapour phase epitaxy with in situ Si3N4 passivation. Journal of Crystal Growth, 2011, 315, pp.204-207. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2010.09.025⟩. ⟨hal-00572672⟩
62 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More