The effects of gate length variation and trapping effects on the transient response of AlGaN/GaN HEMT's on SiC substrates - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronic Engineering Année : 2011

The effects of gate length variation and trapping effects on the transient response of AlGaN/GaN HEMT's on SiC substrates

M. Gassoumi
  • Fonction : Auteur
M.M. Ben Salem
  • Fonction : Auteur
S. Saadaoui
  • Fonction : Auteur
B. Grimbert
Julien Fontaine
  • Fonction : Auteur
H. Maaref
  • Fonction : Auteur

Dates et versions

hal-00572669 , version 1 (02-03-2011)

Identifiants

Citer

M. Gassoumi, M.M. Ben Salem, S. Saadaoui, B. Grimbert, Julien Fontaine, et al.. The effects of gate length variation and trapping effects on the transient response of AlGaN/GaN HEMT's on SiC substrates. Microelectronic Engineering, 2011, 88, pp.370-372. ⟨10.1016/j.mee.2010.09.027⟩. ⟨hal-00572669⟩
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