Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2011
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https://hal.science/hal-00572669
Soumis le : mercredi 2 mars 2011-09:24:10
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Gassoumi, M.M. Ben Salem, S. Saadaoui, B. Grimbert, Julien Fontaine, et al.. The effects of gate length variation and trapping effects on the transient response of AlGaN/GaN HEMT's on SiC substrates. Microelectronic Engineering, 2011, 88, pp.370-372. ⟨10.1016/j.mee.2010.09.027⟩. ⟨hal-00572669⟩
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