Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 200nm - Archive ouverte HAL Access content directly
Conference Papers Year : 2010

Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 200nm

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Dates and versions

hal-00572218 , version 1 (01-03-2011)

Identifiers

  • HAL Id : hal-00572218 , version 1

Cite

J.J Mo. Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 200nm. 13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 2. ⟨hal-00572218⟩
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