Conference Papers
Year : 2010
Collection IEMN : Connect in order to contact the contributor
https://hal.science/hal-00572218
Submitted on : Tuesday, March 1, 2011-9:26:20 AM
Last modification on : Wednesday, January 24, 2024-9:54:18 AM
Dates and versions
Identifiers
- HAL Id : hal-00572218 , version 1
Cite
J.J Mo. Fabrication et caractérisation de MOSFET In0.53Ga0.47As de type N en technologie auto-aligné et de longueur de grille de 200nm. 13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 2. ⟨hal-00572218⟩
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