Investigation of microstructural, optical and electrical properties of BGaN materials grown by MOVPE - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Investigation of microstructural, optical and electrical properties of BGaN materials grown by MOVPE

M. Abid
UMI GT CNRS
S. Gautier
  • Fonction : Auteur
UMI GT CNRS
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
T. Moudakir
  • Fonction : Auteur
UMI GT CNRS
G. Orsal
  • Fonction : Auteur
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes
Georgia Tech Lorraine [Metz]
V. Ravindran
  • Fonction : Auteur
S. O. S. Hamady
CV
O. Naciri
  • Fonction : Auteur
A. Migan-Dubois
CV
Z. Djebbour
  • Fonction : Auteur
David Troadec
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
G. Patriarche
Laboratoire de Photonique et Nanostructure, CNRS
A. Ougazzaden
UMI GT CNRS

Domaines

Optique [physics.optics]

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https://hal.science/hal-00554354

Soumis le : lundi 10 janvier 2011-16:14:32

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00554354 , version 1 (10-01-2011)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00554354 , version 1

Citer

M. Abid, S. Gautier, T. Moudakir, G. Orsal, V. Ravindran, et al.. Investigation of microstructural, optical and electrical properties of BGaN materials grown by MOVPE. ISGN 3, Jun 2010, Montpellier, France. ⟨hal-00554354⟩

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