Temperature dependent degradation modes in AlGaN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Temperature dependent degradation modes in AlGaN/GaN HEMTs

Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
N. Defrance
N. Malbert
  • Fonction : Auteur
N. Labat
  • Fonction : Auteur
A. Curutchet
  • Fonction : Auteur
C. Sury
  • Fonction : Auteur
C. Dua
  • Fonction : Auteur
M. Oualli
  • Fonction : Auteur
M. Piazza
  • Fonction : Auteur
J. Bluet
  • Fonction : Auteur
W. Chikhaoui
  • Fonction : Auteur
C. Bru-Chevallier
CV

Domaines

Sciences de l'ingénieur [physics]

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https://hal.science/hal-00550022

Soumis le : jeudi 23 décembre 2010-11:00:59

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00550022 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00550022 , version 1

Citer

Y. Douvry, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, N. Defrance, N. Malbert, et al.. Temperature dependent degradation modes in AlGaN/GaN HEMTs. 5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, Paris, France. pp.114-117. ⟨hal-00550022⟩

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