Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors

N. Dyakonova
  • Fonction : Auteur
A. El Fatimy
  • Fonction : Auteur
Y. Meziani
  • Fonction : Auteur
T. Otsuji
  • Fonction : Auteur
D. Coquillat
  • Fonction : Auteur
W. Knap
  • Fonction : Auteur
F. Teppe
S. Vandenbrouk
  • Fonction : Auteur
K. Madjour
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
S. Delage
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00550019 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

Citer

N. Dyakonova, A. El Fatimy, Y. Meziani, T. Otsuji, D. Coquillat, et al.. Tunable room temperature THz emission from AlGaN/GaN high electron mobility transistors. 35th International Conference on Infrared, Millimeter and THz Waves, IRMMW-THz 2010, 2010, Italy. pp.1-2, ⟨10.1109/ICIMW.2010.5612620⟩. ⟨hal-00550019⟩
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