Reliability assessment in different HTO test conditions of AlGaN/GaN HEMTs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Reliability assessment in different HTO test conditions of AlGaN/GaN HEMTs

N. Malbert
  • Fonction : Auteur
N. Labat
  • Fonction : Auteur
A. Curutchet
  • Fonction : Auteur
C. Sury
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
Jean-Claude de Jaeger
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
N. Defrance
Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
C. Dua
  • Fonction : Auteur
M. Oualli
  • Fonction : Auteur
M. Piazza
  • Fonction : Auteur
C. Bru-Chevallier
CV
J.M. Bluet
W. Chikhaoui
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00550009

Soumis le : jeudi 23 décembre 2010-10:40:02

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00550009 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

Citer

N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, C. Sury, Virginie Hoel, et al.. Reliability assessment in different HTO test conditions of AlGaN/GaN HEMTs. IEEE International Reliability Physics Symposium, IRPS 2010, 2010, United States. pp.139-145, ⟨10.1109/IRPS.2010.5488839⟩. ⟨hal-00550009⟩

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