Output power density higher than 1W/mm at 4GHz thanks to an original silicon LDEMOS transistor layout - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Output power density higher than 1W/mm at 4GHz thanks to an original silicon LDEMOS transistor layout

D. Fournier
  • Fonction : Auteur
G. Bekangba
  • Fonction : Auteur
P. Chevalier
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00550007 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00550007 , version 1

Citer

D. Ducatteau, D. Fournier, G. Bekangba, P. Chevalier, Christophe Gaquière. Output power density higher than 1W/mm at 4GHz thanks to an original silicon LDEMOS transistor layout. 5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.150-153. ⟨hal-00550007⟩
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