Backgate bias and stress level impact on giant piezoresistance effect in thin silicon films and nanowires - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Backgate bias and stress level impact on giant piezoresistance effect in thin silicon films and nanowires

V. Passi
  • Fonction : Auteur
J.P. Raskin
  • Fonction : Auteur
F. Ravaux
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00549973 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

Citer

V. Passi, J.P. Raskin, F. Ravaux, Emmanuel Dubois. Backgate bias and stress level impact on giant piezoresistance effect in thin silicon films and nanowires. 23rd IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, MEMS 2010, 2010, China. pp.464-467, ⟨10.1109/MEMSYS.2010.5442464⟩. ⟨hal-00549973⟩
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