Tellurium delta-doped 120nm AlSb/InAs HEMTs : towards sub-100mV electronics - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Tellurium delta-doped 120nm AlSb/InAs HEMTs : towards sub-100mV electronics

Yannick Roelens
A. Olivier
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
A. Noudeviwa
  • Fonction : Auteur
Francois Danneville
Nicolas Wichmann
X. Wallart
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00549924 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

Citer

Yannick Roelens, A. Olivier, L. Desplanque, A. Noudeviwa, Francois Danneville, et al.. Tellurium delta-doped 120nm AlSb/InAs HEMTs : towards sub-100mV electronics. 68th Device Research Conference, DRC 2010, 2010, United States. pp.53-54, ⟨10.1109/DRC.2010.5551945⟩. ⟨hal-00549924⟩
32 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More