Graded channel concept for improving RF noise of an industrial 0.15 µm SOI CMOS technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Graded channel concept for improving RF noise of an industrial 0.15 µm SOI CMOS technology

M. Emam
  • Fonction : Auteur
P. Sakalas
  • Fonction : Auteur
A. Kumar
  • Fonction : Auteur
J. Ida
  • Fonction : Auteur
D. Vanhoenacker-Janvier
  • Fonction : Auteur
J. Raskin
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00549920 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00549920 , version 1

Citer

M. Emam, P. Sakalas, A. Kumar, J. Ida, D. Vanhoenacker-Janvier, et al.. Graded channel concept for improving RF noise of an industrial 0.15 µm SOI CMOS technology. 5th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2010, 2010, France. pp.170-173. ⟨hal-00549920⟩
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