LP MOCVD growth of InAlN/GaN HEMT heterostructure : comparison of sapphire, bulk SiC and composite SiCopSiC substrates for HEMT device applications
M.A. Di Forte-Poisson
,
N. Sarazin
,
M. Magis
,
M. Tordjman
,
J. Di Persio
,
R. Langer
,
E. Iliopoulos
,
A. Georgakilas
,
P. Kominou
,
M. Guziewicz
,
E. Kaminska
,
A. Piotrowska
,
Christophe Gaquière
(1)
,
M. Oualli
,
E. Chartier
,
E. Morvan
,
S. Delage
M.A. Di Forte-Poisson
- Fonction : Auteur
N. Sarazin
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M. Magis
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M. Tordjman
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J. Di Persio
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R. Langer
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E. Iliopoulos
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A. Georgakilas
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P. Kominou
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M. Guziewicz
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E. Kaminska
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A. Piotrowska
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Christophe Gaquière
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- PersonId : 746853
- IdHAL : christophe-gaquiere
- ORCID : 0000-0003-3082-2489
- IdRef : 059765615
M. Oualli
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E. Chartier
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E. Morvan
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S. Delage
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