LP MOCVD growth of InAlN/GaN HEMT heterostructure : comparison of sapphire, bulk SiC and composite SiCopSiC substrates for HEMT device applications - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue physica status solidi (c) Année : 2010

LP MOCVD growth of InAlN/GaN HEMT heterostructure : comparison of sapphire, bulk SiC and composite SiCopSiC substrates for HEMT device applications

M.A. Di Forte-Poisson
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N. Sarazin
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M. Magis
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M. Tordjman
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J. Di Persio
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R. Langer
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E. Iliopoulos
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A. Georgakilas
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P. Kominou
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M. Guziewicz
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E. Kaminska
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A. Piotrowska
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M. Oualli
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E. Chartier
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E. Morvan
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S. Delage
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Dates et versions

hal-00549909 , version 1 (23-12-2010)

Identifiants

Citer

M.A. Di Forte-Poisson, N. Sarazin, M. Magis, M. Tordjman, J. Di Persio, et al.. LP MOCVD growth of InAlN/GaN HEMT heterostructure : comparison of sapphire, bulk SiC and composite SiCopSiC substrates for HEMT device applications. physica status solidi (c), 2010, 7, pp.1317-1324. ⟨10.1002/pssc.200983114⟩. ⟨hal-00549909⟩
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