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Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2010

Proposal and performance analysis of normally off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1-nm-thick InAlN barrier

J. Kuzmik
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C. Ostermaier
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G. Pozzovivo
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B. Basnar
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W. Schrenk
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J.F. Carlin
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M. Gonschorek
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E. Feltin
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N. Grandjean
Y. Douvry
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger
K. Cico
  • Fonction : Auteur
K. Frölich
  • Fonction : Auteur
J. Skriniarova
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J. Kovacs
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G. Strasser
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D. Pogany
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E. Gornik
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Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00549465 , version 1 (22-12-2010)

Identifiants

Citer

J. Kuzmik, C. Ostermaier, G. Pozzovivo, B. Basnar, W. Schrenk, et al.. Proposal and performance analysis of normally off n++ GaN/InAlN/AlN/GaN HEMTs with 1-nm-thick InAlN barrier. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57, pp.2144-2154. ⟨10.1109/TED.2010.2055292⟩. ⟨hal-00549465⟩
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