Article Dans Une Revue
Physica B: Condensed Matter
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00549453
Soumis le : mercredi 22 décembre 2010-08:40:15
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Gassoumi, O. Fathallah, Christophe Gaquière, H. Maaref. Analysis of deep levels in AlGaN/GaN/Al2O3 heterostructures by CDLTS under a gate pulse. Physica B: Condensed Matter, 2010, 405, pp.2337-2339. ⟨10.1016/j.physb.2010.02.042⟩. ⟨hal-00549453⟩
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