AlInN/AlN/GaN HEMT technology on SiC with 10-W/mm and 50% PAE at 10 GHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2010

AlInN/AlN/GaN HEMT technology on SiC with 10-W/mm and 50% PAE at 10 GHz

N. Sarazin
  • Fonction : Auteur
E. Morvan
  • Fonction : Auteur
M.A. Di Forte Poisson
  • Fonction : Auteur
M. Oualli
  • Fonction : Auteur
O. Jardel
  • Fonction : Auteur
O. Drisse
  • Fonction : Auteur
M. Tordjman
  • Fonction : Auteur
M. Magis
  • Fonction : Auteur
S.L. Delage
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00549451 , version 1 (22-12-2010)

Identifiants

Citer

N. Sarazin, E. Morvan, M.A. Di Forte Poisson, M. Oualli, Christophe Gaquière, et al.. AlInN/AlN/GaN HEMT technology on SiC with 10-W/mm and 50% PAE at 10 GHz. IEEE Electron Device Letters, 2010, 31, pp.11-13. ⟨10.1109/LED.2009.2035145⟩. ⟨hal-00549451⟩
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