Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2010
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00549451
Soumis le : mercredi 22 décembre 2010-08:38:26
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
N. Sarazin, E. Morvan, M.A. Di Forte Poisson, M. Oualli, Christophe Gaquière, et al.. AlInN/AlN/GaN HEMT technology on SiC with 10-W/mm and 50% PAE at 10 GHz. IEEE Electron Device Letters, 2010, 31, pp.11-13. ⟨10.1109/LED.2009.2035145⟩. ⟨hal-00549451⟩
Collections
80
Consultations
0
Téléchargements