Coulomb energy determination of a single Si dangling bond

T.H. Nguyen; G. Mahieu; Maxime Berthe; B. Grandidier; C. Delerue; D. Stievenard; P. Ebert

doi:10.1103/PhysRevLett.105.226404

Article Dans Une Revue Physical Review Letters Année : 2010

Coulomb energy determination of a single Si dangling bond

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1

T.H. Nguyen

Fonction : Auteur

G. Mahieu

Fonction : Auteur

Maxime Berthe

Fonction : Auteur
PersonId : 744929
IdHAL : maxime-berthe
ORCID : 0000-0002-3918-7111
IdRef : 121162656

B. Grandidier

Fonction : Auteur
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IdHAL : bruno-grandidier
ORCID : 0000-0001-6131-7309
IdRef : 084580135

CV

C. Delerue

Fonction : Auteur
PersonId : 175246
IdHAL : christophe-delerue
ORCID : 0000-0002-0427-3001
IdRef : 035741163

CV

D. Stievenard

Fonction : Auteur
PersonId : 747967
IdHAL : didier-stievenard

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

P. Ebert

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https://hal.science/hal-00549059

Soumis le : mardi 21 décembre 2010-11:03:01

Dernière modification le : mercredi 13 mars 2024-09:40:09

Dates et versions

hal-00549059 , version 1 (21-12-2010)

Identifiants

HAL Id : hal-00549059 , version 1
DOI : 10.1103/PhysRevLett.105.226404

Citer

T.H. Nguyen, G. Mahieu, Maxime Berthe, B. Grandidier, C. Delerue, et al.. Coulomb energy determination of a single Si dangling bond. Physical Review Letters, 2010, 105, pp.226404-1-4. ⟨10.1103/PhysRevLett.105.226404⟩. ⟨hal-00549059⟩

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