High-speed 1.3-µm p-i-n GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2010

High-speed 1.3-µm p-i-n GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector

Z. Xu
  • Fonction : Auteur
N. Saadsaoud
  • Fonction : Auteur
Kianhuan Tan
  • Fonction : Auteur
Wan Khai Loke
  • Fonction : Auteur
Satrio Wicaksono
  • Fonction : Auteur
Soon Fatt Yoon
  • Fonction : Auteur
Christiane Legrand
  • Fonction : Auteur
Jean Chazelas
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 1076837

Résumé

The authors report the demonstration of high-speed GaNAsSb/GaAs p-i-n waveguide photodetector grown by molecular beam epitaxy technique. A 0.4-μm-thick GaNAsSb core layer with 3.3% of N and 8% of Sb for detection wavelength over 1.3 μm is sandwiched by GaAs and AlGaAs cladding layers. The device exhibits a record value of cutoff frequency of 16.5 GHz.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00549006 , version 1 (21-12-2010)

Identifiants

Citer

Malek Zegaoui, Z. Xu, N. Saadsaoud, Kianhuan Tan, Wan Khai Loke, et al.. High-speed 1.3-µm p-i-n GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector. IEEE Electron Device Letters, 2010, 31 (7), pp.704-706. ⟨10.1109/LED.2010.2049563⟩. ⟨hal-00549006⟩
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