High-speed programming of nanowire-gated carbon-nanotube memory devices

G. Agnus; A. Filoramo; S. Lenfant; D. Vuillaume; J.P. Bourgoin; Vincent Derycke

doi:10.1002/smll.201001293

Article Dans Une Revue Small Année : 2010

High-speed programming of nanowire-gated carbon-nanotube memory devices

, , , (1) , ,

1

G. Agnus

Fonction : Auteur

A. Filoramo

Fonction : Auteur

S. Lenfant

Fonction : Auteur
PersonId : 738520
IdHAL : stephane-lenfant
ORCID : 0000-0002-6857-8752
IdRef : 059841265

CV

D. Vuillaume

Fonction : Auteur

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

J.P. Bourgoin

Fonction : Auteur

Vincent Derycke

Fonction : Auteur
PersonId : 782234
ORCID : 0000-0002-3272-9694
IdRef : 130987271

Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00548969

Soumis le : mardi 21 décembre 2010-08:59:36

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00548969 , version 1 (21-12-2010)

Identifiants

HAL Id : hal-00548969 , version 1
DOI : 10.1002/smll.201001293

Citer

G. Agnus, A. Filoramo, S. Lenfant, D. Vuillaume, J.P. Bourgoin, et al.. High-speed programming of nanowire-gated carbon-nanotube memory devices. Small, 2010, 6, pp.2659-2663. ⟨10.1002/smll.201001293⟩. ⟨hal-00548969⟩

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