Thermal noise in MOSFETs : a two- or a three-parameter noise model ? - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2010

Thermal noise in MOSFETs : a two- or a three-parameter noise model ?

M. Emam
  • Fonction : Auteur
P. Sakalas
  • Fonction : Auteur
D. Vanhoenacker-Janvier
  • Fonction : Auteur
J.P. Raskin
  • Fonction : Auteur
T.C. Lim
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00548567 , version 1 (20-12-2010)

Identifiants

Citer

M. Emam, P. Sakalas, D. Vanhoenacker-Janvier, J.P. Raskin, T.C. Lim, et al.. Thermal noise in MOSFETs : a two- or a three-parameter noise model ?. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57, pp.1188-1191. ⟨10.1109/TED.2010.2044286⟩. ⟨hal-00548567⟩
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