Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2010
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00548567
Soumis le : lundi 20 décembre 2010-09:53:17
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M. Emam, P. Sakalas, D. Vanhoenacker-Janvier, J.P. Raskin, T.C. Lim, et al.. Thermal noise in MOSFETs : a two- or a three-parameter noise model ?. IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57, pp.1188-1191. ⟨10.1109/TED.2010.2044286⟩. ⟨hal-00548567⟩
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