Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00548566
Soumis le : lundi 20 décembre 2010-09:52:29
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
E. Mairiaux, L. Desplanque, X. Wallart, M. Zaknoune. Microwave performance of InAlAsSb/In0.35Ga0.65Sb/InAlAsSb double heterojunction bipolar transistors. IEEE Electron Device Letters, 2010, 31, pp.299-301. ⟨10.1109/LED.2010.2040241⟩. ⟨hal-00548566⟩
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