Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2010

Microwave performance of InAlAsSb/In0.35Ga0.65Sb/InAlAsSb double heterojunction bipolar transistors

E. Mairiaux
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
X. Wallart
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00548566 , version 1 (20-12-2010)

Identifiants

Citer

E. Mairiaux, L. Desplanque, X. Wallart, M. Zaknoune. Microwave performance of InAlAsSb/In0.35Ga0.65Sb/InAlAsSb double heterojunction bipolar transistors. IEEE Electron Device Letters, 2010, 31, pp.299-301. ⟨10.1109/LED.2010.2040241⟩. ⟨hal-00548566⟩
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