Article Dans Une Revue
Journal of Vacuum Science and Technology
Année : 2010
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https://hal.science/hal-00548563
Soumis le : lundi 20 décembre 2010-09:43:18
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
E. Mairiaux, L. Desplanque, X. Wallart, M. Zaknoune. Improvement of ohmic contacts to In0.65Ga0.35Sb using Mo refractory metal and surface preparation for 6.3 Å heterojunction bipolar transistors. Journal of Vacuum Science and Technology, 2010, 28, pp.17-20. ⟨10.1116/1.3268134⟩. ⟨hal-00548563⟩
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