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Communication Dans Un Congrès Année : 1998

Experimental investigation of 4H-SiC bulk crystal growth

K. Chourou
  • Fonction : Auteur
M. Anikin
  • Fonction : Auteur
Jm Bluet
V. Lauer
  • Fonction : Auteur
G. Guillot
Jean Camassel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839246
Sandrine Juillaguet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 839245
O. Chaix
  • Fonction : Auteur
M. Pons
R. Madar
  • Fonction : Auteur

Résumé

4H-SiC single crystal ingots up to 1 inch in diameter have been grown by the Modified Lely Method. A growth sequence is proposed. The polytype study by Raman spectroscopy has shown that, in our configuration, 4H ingots could be reproducibly obtained on the (<000(1)over bar>)C face of a 4H-SiC seed. The ingot contamination by transition metals (Ti, V) is discussed in the light of low temperature photoluminescence.
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-00543779 , version 1 (06-04-2020)

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Paternité

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Citer

K. Chourou, M. Anikin, Jm Bluet, V. Lauer, G. Guillot, et al.. Experimental investigation of 4H-SiC bulk crystal growth. 7th International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials (ICSCIII-N 97), Aug 1997, Stockholm, Sweden. pp.17-20, ⟨10.4028/www.scientific.net/MSF.264-268.17⟩. ⟨hal-00543779⟩
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