Laser activation of Ultra Shallow Junctions (USJ) doped by Plasma Immersion Ion Implantation - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Surface Science Année : 2009

Laser activation of Ultra Shallow Junctions (USJ) doped by Plasma Immersion Ion Implantation

V. Vervisch
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Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques
Yannick Larmande
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Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques
Philippe Delaporte
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Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques
Thierry Sarnet
Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques
CV
Marc Sentis
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Laboratoire Lasers, Plasmas et Procédés photoniques
H. Etienne
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IBS
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CV
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Soumis le : vendredi 3 décembre 2010-11:51:30

Dernière modification le : mardi 23 janvier 2024-14:58:58

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Dates et versions

hal-00542699 , version 1 (03-12-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00542699 , version 1

Citer

V. Vervisch, Yannick Larmande, Philippe Delaporte, Thierry Sarnet, Marc Sentis, et al.. Laser activation of Ultra Shallow Junctions (USJ) doped by Plasma Immersion Ion Implantation. Applied Surface Science, 2009, 255 (10), pp.5647-5650. ⟨hal-00542699⟩

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