Terahertz detection by GaN/AlGaN transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2006

Terahertz detection by GaN/AlGaN transistors

Abdelouahad El Fatimy
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 883861
Frederic Teppe
Wojciech Knap
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  • PersonId : 1011541
D. B. Veksler
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S. Rumyantsev
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M. S. Shur
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N. Pala
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R. Gaska
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Q. Fareed
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X. Hu
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D. Seliuta
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G. Valusis
  • Fonction : Auteur

Résumé

Detection of subterahertz and terahertz radiation by high electron mobility GaN/AlGaN transistors in the 0.2-2.5 THz frequency range (much higher than the cutoff frequency of the transistors) is reported. Experiments were performed in the temperature range 4-300 K For the lowest temperatures, a resonant response was observed. The resonances were interpreted as plasma wave excitations in gated two-dimensional electron gas. Non-resonant detection was observed at temperatures above 100 K. Estimates for noise equivalent power show that these transistors can be used as efficient detectors of terahertz radiation at cryogenic and room temperatures.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00540638 , version 1 (28-11-2010)

Identifiants

Citer

Abdelouahad El Fatimy, Stephane Boubanga Tombet, Frederic Teppe, Wojciech Knap, D. B. Veksler, et al.. Terahertz detection by GaN/AlGaN transistors. Electronics Letters, 2006, 42, pp.1342-1344. ⟨10.1049/cl:20062452⟩. ⟨hal-00540638⟩
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