Lifetime and wearout current modeling of ultra-thin oxide antifuse bitcells using transient characterization - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Lifetime and wearout current modeling of ultra-thin oxide antifuse bitcells using transient characterization

Matthieu Deloge
  • Fonction : Auteur
Bruno Allard
Philippe Candelier
  • Fonction : Auteur
Joël Damiens
  • Fonction : Auteur
Elise Le-Roux
  • Fonction : Auteur
Mustapha Rafik
  • Fonction : Auteur

Résumé

The lifetime modeling of antifuse bit cells is studied using transient measurements. Firstly, the wearout current is successfully modeled as Fowler-Nordheim. Secondly, the TDDB power-law voltage acceleration model is validated down to 30 0ns for a stress voltage of 5.5 V. Lifetime results are compared with the Multi-Vibrational Hydrogen Release Model.
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00539164 , version 1 (24-11-2010)

Identifiants

Citer

Matthieu Deloge, Bruno Allard, Philippe Candelier, Joël Damiens, Elise Le-Roux, et al.. Lifetime and wearout current modeling of ultra-thin oxide antifuse bitcells using transient characterization. IMW, May 2010, Séoul, South Korea. pp.1 - 4, ⟨10.1109/IMW.2010.5488412⟩. ⟨hal-00539164⟩
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