A Novel Self Aligned Design Adapted Gate All Around (SADAGAA) MOSFET including two stacked Channels: A High Co-Integration Potential - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

A Novel Self Aligned Design Adapted Gate All Around (SADAGAA) MOSFET including two stacked Channels: A High Co-Integration Potential

R. Wacquez
  • Fonction : Auteur
R. Cerutti
  • Fonction : Auteur
P. Coronel
  • Fonction : Auteur
A. Cros
  • Fonction : Auteur
A. Null Pouydebasque
  • Fonction : Auteur
J. Bustos
  • Fonction : Auteur
S. Harrison
  • Fonction : Auteur
N. Loubet
  • Fonction : Auteur
S. Bborel
  • Fonction : Auteur
D. Lenoble
  • Fonction : Auteur
F. Leverd
  • Fonction : Auteur
M.-P. Samson
  • Fonction : Auteur
N. Vuillet
  • Fonction : Auteur
B. Guillaumot
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00525089 , version 1 (11-10-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00525089 , version 1

Citer

R. Wacquez, R. Cerutti, P. Coronel, A. Cros, D. Fleury, et al.. A Novel Self Aligned Design Adapted Gate All Around (SADAGAA) MOSFET including two stacked Channels: A High Co-Integration Potential. International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM), Sep 2006, Yokohama, Japan. pp.534-535. ⟨hal-00525089⟩
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