A Novel Self Aligned Design Adapted Gate All Around (SADAGAA) MOSFET including two stacked Channels: A High Co-Integration Potential
R. Wacquez
,
R. Cerutti
,
P. Coronel
,
A. Cros
,
D. Fleury
(1)
,
A. Null Pouydebasque
,
J. Bustos
,
S. Harrison
,
N. Loubet
,
S. Bborel
,
D. Lenoble
,
D. Delille
(2)
,
F. Leverd
,
F. Judong
(2)
,
M.-P. Samson
,
N. Vuillet
,
B. Guillaumot
,
T. Ernst
(3)
,
P. Masson
(4)
,
T. Skotnicki
1
INRETS/MA -
Département Mécanismes d'Accidents
2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 LEAT - Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications
2 ST-CROLLES - STMicroelectronics [Crolles]
3 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
4 LEAT - Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications
R. Wacquez
- Fonction : Auteur
R. Cerutti
- Fonction : Auteur
P. Coronel
- Fonction : Auteur
A. Cros
- Fonction : Auteur
A. Null Pouydebasque
- Fonction : Auteur
J. Bustos
- Fonction : Auteur
S. Harrison
- Fonction : Auteur
N. Loubet
- Fonction : Auteur
S. Bborel
- Fonction : Auteur
D. Lenoble
- Fonction : Auteur
F. Leverd
- Fonction : Auteur
M.-P. Samson
- Fonction : Auteur
N. Vuillet
- Fonction : Auteur
B. Guillaumot
- Fonction : Auteur
T. Skotnicki
- Fonction : Auteur