Independent Double Gate - Potential for Non-Volatile Memories - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Independent Double Gate - Potential for Non-Volatile Memories

G. Bossu
  • Fonction : Auteur
S. Puget
  • Fonction : Auteur
P. Masson
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications
Jean-Michel Portal
Centre de Recherches Pétrographiques et Géochimiques
R. Bouchakour
  • Fonction : Auteur
P. Mazoyer
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electromagnétisme

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https://hal.science/hal-00524965

Soumis le : samedi 9 octobre 2010-22:47:39

Dernière modification le : lundi 2 décembre 2024-14:48:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00524965 , version 1 (09-10-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00524965 , version 1

Citer

G. Bossu, S. Puget, P. Masson, Jean-Michel Portal, R. Bouchakour, et al.. Independent Double Gate - Potential for Non-Volatile Memories. IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), Jun 2008, Honolulu, United States. pp.Poster 2-23. ⟨hal-00524965⟩

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