Quantum Effect Modeling in Thin Film Independent Double Gate Capacitorless eDRAM - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2009

Quantum Effect Modeling in Thin Film Independent Double Gate Capacitorless eDRAM

S. Puget
  • Fonction : Auteur
G. Bossu
  • Fonction : Auteur
P. Masson
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications
P. Mazoyer
  • Fonction : Auteur
Jean-Michel Portal
Centre de Recherches Pétrographiques et Géochimiques
P. Lorenzini
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'Electronique, Antennes et Télécommunications
D. Rideau
  • Fonction : Auteur
Institut Laue-Langevin
R. Bouchakour
  • Fonction : Auteur
T. Skotnicki
  • Fonction : Auteur

Domaines

Electromagnétisme

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https://hal.science/hal-00524924

Soumis le : samedi 9 octobre 2010-19:44:16

Dernière modification le : lundi 2 décembre 2024-14:48:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00524924 , version 1 (09-10-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00524924 , version 1

Citer

S. Puget, G. Bossu, P. Masson, P. Mazoyer, Jean-Michel Portal, et al.. Quantum Effect Modeling in Thin Film Independent Double Gate Capacitorless eDRAM. European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Sep 2009, Athenes, Greece. ⟨hal-00524924⟩

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