Quantum Effect Modeling in Thin Film Independent Double Gate Capacitorless eDRAM - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2009
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00524924 , version 1 (09-10-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00524924 , version 1

Citer

S. Puget, G. Bossu, P. Masson, P. Mazoyer, Jean-Michel Portal, et al.. Quantum Effect Modeling in Thin Film Independent Double Gate Capacitorless eDRAM. European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC), Sep 2009, Athenes, Greece. ⟨hal-00524924⟩
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