Investigation of solution-processed organic thin film transistors based on alpha,omega-hexyl-distyryl-bithiophene (DH-DS2T): growth and transport properties - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Optoelectronics and Advanced Materials Année : 2010

Investigation of solution-processed organic thin film transistors based on alpha,omega-hexyl-distyryl-bithiophene (DH-DS2T): growth and transport properties

Y. Didane
  • Fonction : Auteur
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
A.K. Diallo
  • Fonction : Auteur
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
T. Fiorido
  • Fonction : Auteur
A. Suzuki
  • Fonction : Auteur
N. Yoshimoto
  • Fonction : Auteur
S. Bernardini
CV
J. Ackermann
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
F. Fages
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
H. Brisset
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV
Marc Bendahan
Khalifa Aguir
C. Videlot-Ackermann
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille

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Soumis le : mercredi 6 octobre 2010-14:38:28

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:53

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Dates et versions

hal-00523868 , version 1 (06-10-2010)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00523868 , version 1

Citer

Y. Didane, A.K. Diallo, T. Fiorido, A. Suzuki, N. Yoshimoto, et al.. Investigation of solution-processed organic thin film transistors based on alpha,omega-hexyl-distyryl-bithiophene (DH-DS2T): growth and transport properties. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials, 2010, 12 (7), pp.1546-1551. ⟨hal-00523868⟩

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