Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur silicium
Résumé
L’intérêt d’une croissance hétérogène cohérente et monolithique de semiconducteurs III-V sur substrat de silicium est exposée au regard des composants optoélectroniques visés. Les derniers développements sur la croissance cohérente de GaP sur silicium, et des possibles émetteurs optiques seront présentés.
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