Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur silicium - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur silicium

Résumé

L’intérêt d’une croissance hétérogène cohérente et monolithique de semiconducteurs III-V sur substrat de silicium est exposée au regard des composants optoélectroniques visés. Les derniers développements sur la croissance cohérente de GaP sur silicium, et des possibles émetteurs optiques seront présentés.
Fichier principal
Vignette du fichier
Ponant2010_MTP4.pdf (228.83 Ko) Télécharger le fichier
Origine Fichiers éditeurs autorisés sur une archive ouverte
Loading...

Dates et versions

hal-00504506 , version 1 (21-05-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00504506 , version 1

Citer

Charles Cornet, Antoine Létoublon, Weiming Guo, Alexandre Bondi, Soline Richard, et al.. Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur silicium. Séminaire PONANT 2010, Jul 2010, Rennes, France. pp.9-11. ⟨hal-00504506⟩
157 Consultations
222 Téléchargements

Partager

More