Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur silicium - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur silicium

Résumé

L’intérêt d’une croissance hétérogène cohérente et monolithique de semiconducteurs III-V sur substrat de silicium est exposée au regard des composants optoélectroniques visés. Les derniers développements sur la croissance cohérente de GaP sur silicium, et des possibles émetteurs optiques seront présentés.
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Dates et versions

hal-00504506 , version 1 (21-05-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00504506 , version 1

Citer

Charles Cornet, Antoine Létoublon, Weiming Guo, Alexandre Bondi, Soline Richard, et al.. Croissance hétérogène de semi-conducteurs III-V sur silicium : vers l'optoélectronique sur silicium. Séminaire PONANT 2010, Jul 2010, Rennes, France. pp.9-11. ⟨hal-00504506⟩
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