Article Dans Une Revue
Microelectronics Reliability
Année : 2009
François Marc : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00499470
Soumis le : vendredi 9 juillet 2010-16:23:41
Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00499470 , version 1
- DOI : 10.1016/j.microrel.2009.07.025
Citer
Corinne Bestory, François Marc, Sophie Duzellier, Hervé Lévi. Multilevel behavioural modelling for reliability analysis of ionizing dose effects on a n-MOS simple current mirror. Microelectronics Reliability, 2009, 49, pp.946-951. ⟨10.1016/j.microrel.2009.07.025⟩. ⟨hal-00499470⟩
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